余夕同
【姓名】 余夕同
【职称】
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs,等离子体氧化,XPS分析,氧化层,自体,氧化物,砷化镓,氧等离子体,二硫化钛,俄歇,溅射,层状材料,生长区,束缚能,GaAs表面,定向凝固法,组份分布,组分深度分布,单晶,温度摆动,富A,阳...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】
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[1]唐厚舜,宋庆梅,余夕同.硅珠的形成及太阳电池(组件)[J]太阳能学报.1997,(01)
[2]张冠生,唐厚舜,黄杜森,苏九令,余夕同.氧等离子体条件下GaAs的阳极自体氧化[J]半导体技术.1983,(02)
[3]戴道宣,唐厚舜,倪宇红,余夕同.Al/GaAs界面反应的XPS研究[J]物理学报.1983,(10)
[4]唐厚舜,余夕同,宗祥福,李川,陈一,邢雪坤,郭兵.层状材料二硫化钛单晶的制备[J]稀有金属.1983,(04)
[5]张冠生,唐厚舜,黄杜森,余夕同,赵国珍,钮成法.大面积砷化镓的等离子体氧化及氧化层的AES和XPS分析[J]半导体学报.1983,(02)
[6]戴道宣;唐厚舜;余夕同;.GaAs(110)表面自体氧化层的XPS研究[J]真空科学与技术.1985,(03)
[7]唐厚舜,余夕同.太阳电池用的定向凝固多晶硅锭[J]太阳能学报.1986,(02)
[8]余夕同,唐厚舜.定向凝固法生长太阳电池用多晶硅的经济分析[J]太阳能学报.1986,(02)
[9]余夕同,唐厚舜.一种鉴别多晶硅晶粒优劣的方法[J]复旦学报(自然科学版).1987,(04)
[10]唐厚舜,余夕同.烧结过程中氧压对钇钡铜氧超导材料的影响[J]材料科学进展.1988,(05)
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