张庆全
【姓名】 张庆全
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 等离子体增强化学气相淀积,a-SiCOF薄膜,XPS,多孔硅生长模型,氟碳掺杂的氧化硅薄膜,多孔硅,FTIR,折射率,X射线光电子能谱,傅立叶变换红外光谱,计算机模拟,a-Si,生长模型,氟碳,PEC...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]张庆全,竺士炀,黄宜平.改进的多孔硅生长模型和计算机模拟[J]复旦学报(自然科学版).2003,(01)
[2]丁士进,张庆全,张卫,王季陶.PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征[J]无机材料学报.2001,(06)
[3]丁士进,张庆全,王鹏飞,张卫,王季陶.等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究[J]高技术通讯.2001,(11)
[4]张庆全.赴美出国流程[J]中国研究生.2002,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]张卫;王鹏飞;张庆全;丁士进;王季陶;.等离子体化学气相淀积新型低介电常数SiCOF介质薄膜[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
[2]张卫;王鹏飞;张庆全;丁士进;王季陶;.氧等离子体处理对低介电常数SiOF薄膜性能的影响[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
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