张剑云
【姓名】 张剑云
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;化学;
【研究方向】 模拟及混合信号集成电路设计研究
【发表文献关键词】 金刚石薄膜,化学气相淀积,低介电常数薄膜,掺氟氧化硅,薄膜,取向生长,衬底温度,CVD金刚石薄膜,掺氟,含氟氧化硅,热力学,介电常数,傅里叶变换红外光谱,C-V特性,低介,电常数,化学汽相淀积,氧化硅...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]王勇;张剑云;尹睿;赵宇航;张卫;.A 0.23 pJ 11.05-bit ENOB 125-MS/s pipelined ADC in a 0.18 μm CMOS process[J]Journal of Semiconductors.2015,(05)
[2]卢红亮,徐敏,张剑云,陈玮,任杰,张卫,王季陶.原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展[J]功能材料.2005,(06)
[3]李建,严杰锋,陈俊,张剑云,郭亚炜,沈泊,汤庭鳌.一个59mW10位40MHz流水线A/D转换器(英文)[J]半导体学报.2005,(07)
[4]张剑云,李建,郭亚炜,沈泊,张卫.一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路[J]半导体学报.2005,(09)
[5]丁士进,张卫,王鹏飞,张剑云,刘志杰,王季陶.低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究[J]功能材料.2000,(05)
[6]王鹏飞,丁士进,张卫,张剑云,王季陶.用PECVD制备掺氟氧化硅低介电常数薄膜[J]微电子学.2000,(05)
[7]张剑云,王鹏飞,丁士进,张卫,王季陶,刘志杰.C-H体系CVD金刚石薄膜取向生长的热力学分析[J]微细加工技术.2000,(03)
[8]王鹏飞,丁士进,张卫,张剑云,王季陶.超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究[J]半导体技术.2001,(01)
[9]丁士进,王鹏飞,张剑云,张卫,王季陶,张冶文,夏钟福.非晶含氟聚合物薄膜的热稳定性[J]材料研究学报.2001,(02)
[10]张剑云,王鹏飞,丁士进,张卫,王季陶,刘志杰.CVD金刚石薄膜(111)与(100)取向生长的热力学分析[J]功能材料.2001,(02)
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[1]刘志杰;张卫;张剑云;万永中;王季陶;曹传宝;朱鹤孙;.C-H-N体系气相淀积金刚石薄膜的非平衡定态相图[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
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