袁泽亮
【姓名】 袁泽亮
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硫钝化,功函数,价带偏移,GaAs,气相淀积,Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体表面与器件,碱金属,覆盖度,氮化,暴露量,芯能级,带谱,吸附层,表面氮化,表面钝化,相淀积,Ⅲ-Ⅴ族化合物,移峰,硫钝化技术,上气,成...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]胡海天,来冰,袁泽亮,丁训民,侯晓远.K/GaAs(100)表面的氮化[J]物理学报.1998,(06)
[2]袁泽亮,侯晓远,王迅.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的硫钝化[J]物理.1998,(06)
[3]曹先安,胡海天,丁训民,陈溪滢,袁泽亮,李哲深,侯晓远.GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜[J]自然科学进展.1998,(05)
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