任云珠
【姓名】 任云珠
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 有机高分子膜,一氧化硅,肖特基势垒,势垒高度,脉冲激光,镓扩散,技术表征,肖特基势垒二极管,快速热退火,反向漏电流,n型,有机沾污,激光掺杂,深能级,SIMS,DLTS,特性研究,氧化层,浅施主,激光...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]黄榕旭,蒋聚小,郑国祥,俞宏坤,任云珠,徐蓓蕾.VLSI中钛硅化物肖特基接触特性与退火条件[J]固体电子学研究与进展.2001,(04)
[2]任云珠，曹永明.用SIMS等技术表征镓扩散质量[J]半导体技术.1994,(03)
[3]邓朝辉,林晶,任云珠,宗祥福.飞行时间二次离子质谱结合X-射线光电子能谱分析化学清洗后残留的表面有机物[J]分析化学.1995,(09)
[4]曹永明，任云珠，张敬海，陶莹，宗祥福.深度分辨率对多层薄膜样品SIMS分析的影响[J]质谱学报.1995,(03)
[5]邓朝辉，林晶，任云珠，宗祥福.表面残留有机沾污物的TOF－SIMS及XPS研究[J]分析测试学报.1996,(02)
[6]宋玲根，蔡磊，任云珠，李白云，陶莹，曹永明，宗祥福.铅同位素比值的飞行时间二次离子质谱法测量[J]质谱学报.1996,(04)
[7]任云珠,盛篪,张玲,张忻,孙恒慧.金属/有机高分子膜/n-InP肖特基势垒[J]固体电子学研究与进展.1986,(04)
[8]盛箎,任云珠.砷化镓-氧化硅界面特性研究[J]应用科学学报.1989,(01)
[9]刘开锋,蔡劲,孙恒慧,任云珠,曹永明.n型硅脉冲激光掺铟的物理过程与缺陷特性研究[J]物理学报.1990,(07)
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