邱绍雄
【姓名】 邱绍雄
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 2D半导体,自由载流子面密度,GaAs,GaSb,外延层,RHEED,分子束外延生长,应变层,强度振荡,禁带宽度,MBE生长,过渡层,InAs,超晶格,半绝缘GaAs,上生,面密度,X射线双晶衍射,生...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]罗振华,吴仲墀,邱绍雄.MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量[J]华东师范大学学报(自然科学版).2001,(04)
[2]程达铭;刘复汉;邱绍雄;高惠民;.双交迭点高分辨率阴极射线管[J]电子技术.1981,(12)
[3]邱绍雄;陈华仙;沈国华;贺文钟;王灵;张肇英;.石墨出气总量及气体组分测量中的几个问题[J]真空科学与技术.1985,(06)
[4]胡建栋,施浩,翁渝民,邱绍雄,宗祥福,谢荣.MBE GaAs缺陷络合线系的本质[J]红外研究(A辑).1988,(Z1)
[5]宗祥福,邱绍雄,杨恒青,黄长河,陈骏逸,胡刚,吴仲墀.GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长[J]物理学报.1990,(12)
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