杨恒青
【姓名】 杨恒青
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 半导体物理、器件方面的教学科研工作
【发表文献关键词】 扩散长度,表面光电压法,少子扩散长度,光子通量密,激光退火,电子辐照效应,辐照,产生寿命,表面光电压,表面产生速度,电子辐照,热退火,讯号,退火处理,Al-Si,硅圆片,离子注入硅,复合寿命,热电堆,...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]杨恒青;宋毅锋;.半导体外延掺杂的深度分布——“修正的”余误差分布[J]复旦学报(自然科学版).2008,(01)
[2]杨恒青,颜佳骅,陈俭,曹永明.用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算[J]半导体学报.2003,(03)
[3]周正刚,杨恒青.晶体管发射结正向电容的测量及分析[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
[4]包宗明,杨恒青,黄淑蓉.表面光电压法直读少子扩散长度[J]太阳能学报.1981,(01)
[5]方志烈,杨恒青.磷砷镓铟禁带宽度的光电压光谱法测定[J]半导体光电.1981,(02)
[6]方志烈,杨恒青.用光电压光谱法测定磷砷镓铟室温禁带宽度[J]红外研究.1982,(02)
[7]邬建根,沈金萱,屈逢源,杨恒青,赵有源,高如芳.CW CO_2激光退火后离子注入硅片的性质研究[J]电子学报.1983,(02)
[8]包宗明,张秀淼,杨恒青,张增光.Al-SiO_2-Si(n)系统的电子辐照效应[J]半导体学报.1983,(01)
[9]杨恒青,姜国庆,陈玉金,包宗明.样品厚度对表面光电压法测试少子扩散长度的影响[J]半导体学报.1984,(01)
[10]杨恒青,王志伟,包宗明.N/P硅外延片的少子扩散长度测量[J]应用科学学报.1987,(02)
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