陆方
【姓名】 陆方
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 重掺硼,喇曼光谱,电学性质,电子－声子相互作用,界面态密度,Si量子阱,Ge_xSi_(1-x)／Si量子阱,缺陷,电导法,载流子浓度,亚稳态,GaAs,外延硅,量子阱,分子束,能带偏移,特性曲线,界...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]张胜坤,蒋最敏,秦捷,林峰,胡冬枝,裴成文,陆方.电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移[J]半导体学报.1999,(02)
[2]王建宝，袁健，杨敏，黄大鸣，陆方，孙恒慧.重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究[J]应用科学学报.1995,(04)
[3]张博,王建宝,刘晓晗,龚大卫,陆方,孙恒慧.亚稳态Ge_xSi_(1-x)/Si单量子阱的缺陷性质[J]固体电子学研究与进展.1997,(02)
[4]陈溪滢,丁训民,张胜坤,张博,陆方,曹先安,朱炜,侯晓远.GaS/GaAs界面电学性质研究[J]物理学报.1997,(03)
[5]张胜坤,付正文,柯炼,秦启宗,陆方,王迅.C-V and DLTS studies of Al/Ta_2O_5/n-Si structures with Ta_2O_5 thin films deposited by pulsed laser deposition[J]Progress in Natural Science.1998,(02)
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