吴仲墀
【姓名】 吴仲墀
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 剥层,光吸收系数,深度分布,范德堡法,电阻率,阳极氧化,离子注入,单晶硅,技术测量,杂质补偿度,载流子浓度,GaAs,杂质,自由载流子面密度,GaSb,结区最大电场,RHEED,外延层,分子束外延生长...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]罗振华,吴仲墀,邱绍雄.MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量[J]华东师范大学学报(自然科学版).2001,(04)
[2]罗振华,吴仲墀.Q2D半导体电子和空穴统计[J]半导体情报.2001,(03)
[3]吴仲墀;罗振华;.中子辐照对硅晶体电学性能的影响[J]上海金属.有色分册.1981,(03)
[4]吴仲墀.范德堡法-阳极氧化剥层技术测量离子注入杂质的深度分布[J]半导体技术.1982,(03)
[5]赵有源,吴仲墀,高如芳,钱佑华.在10.6μm上硅单晶吸收系数与电阻率的关系[J]红外研究.1984,(04)
[6]吴仲墀,赵有源,高如芳,钱佑华.单晶硅的10.6μm光吸收系数与电阻率的关系[J]半导体学报.1985,(03)
[7]吴华生,吴仲墀,钱佑华.表面粗糙样品吸收系数的测量研究Ⅰ.理论[J]红外研究(A辑).1985,(04)
[8]吴华生,吴仲墀,钱佑华.表面粗糙样品吸收系数的测量研究Ⅱ.硅片的实验结果[J]红外研究(A辑).1985,(05)
[9]钱佑华,丁磊,吴仲墀.掺施主和受主的GaP:N发光的热猝灭[J]红外研究(A辑).1988,(Z1)
[10]钱佑华,丁磊,吴仲墀.对掺Te的GaP:N中2.268eV发光带的再认识(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
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