王建伟
【姓名】 王建伟
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;外国语言文字;化学;
【研究方向】 认知语言学
【发表文献关键词】 非均匀掺杂,MESFET,离子注入,MOSFET,二维模拟,IC工艺,工艺模型,电压模型,语法化,模型公式,等效电路,闪烁噪声,铜膜,小尺寸,元件值,离子注,噪声,VLSI,认知,函数近似,非均匀,动...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]王建伟,苗兴伟.语法化现象的认知语用解释[J]外语研究.2001,(02)
[2]王建伟,阮刚.适用于VLSI CAD的非均匀掺杂小尺寸MOSFET阈值电压模型[J]半导体学报.1987,(06)
[3]徐晨曦,阮刚,王建伟.二维离子注入的改进模型及数值模拟[J]半导体学报.1988,(03)
[4]蔡纯青,蔡树榛,阮一刚,王建伟.一种确定MESFET噪声参量的新方法[J]应用科学学报.1989,(03)
[5]王曦,郑耀宗,阮刚,王建伟.溅射铜膜的闪烁噪声和表面粗糙度的关系[J]电子学报.1990,(06)
[6]孙雨龙;黄祖恩;蔡瑞芳;卫景德;陈健;王建伟;于泳;刘二保;方道腴;.C_(60),C_(70)的烷基化[J]有机化学.1993,(05)
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