蒋维栋
【姓名】 蒋维栋
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 非极性半导体,GaAs,异质结,强度振荡,RHEED,载流子浓度,失配,外延层,异质结构,分子束外延生长,界面特性,原子,偏析,表面再构,再构,界面电荷,极性半导体,外延,AIGaAs,界面电荷密度,...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]蒋维栋,庄承群,王迅,蔡显鄂.用热脱附方法测定氧气、乙醇在Porapak样品上的脱附级数和脱附活化能[J]高等学校化学学报.1986,(06)
[2]蒋维栋,董树忠,王迅,丁莹如,姚建华.热脱附谱方法探测甲醇在HZSM-5分子筛表面的吸附位置[J]催化学报.1987,(03)
[3]蒋维栋.Si(100)和Si(111)衬底上的同质分子束外延[J]复旦学报(自然科学版).1987,(04)
[4]蒋维栋.Si在GaP(111)衬底上的分子束外延[J]复旦学报(自然科学版).1987,(04)
[5]陈可明,蒋维栋,盛篪,周国良,张翔九.Si(100)和Si(111)衬底上的同质分子束外延[J]半导体学报.1988,(04)
[6]金高龙,陈可明,盛篪,周国良,蒋维栋,张翔九.Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察[J]物理学报.1989,(03)
[7]邓容平,蒋维栋,孙恒慧.分子束外延生长Si/GaP珐()异质结的界面特性[J]物理学报.1989,(08)
[8]蒋维栋,张翔九,王迅.极性/非极性半导体异质结构[J]物理.1989,(04)
[9]陈可明,金高龙,盛篪,周国良,蒋维栋,张翔九,俞鸣人.Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察[J]物理学报.1990,(02)
[10]陈可明,金高龙,盛篪,周国良,蒋维栋,张翔九,俞鸣人.用RHEED强度振荡锁相外延控制Ge/Si超晶格的生长[J]物理学报.1990,(03)
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