胡艳芳
【姓名】 胡艳芳
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅,锗,扫描隧道显微镜,量子点,生长形貌,晶格失配,浸润层,小岛,生长方式,壳层结构,多层膜,浙江大学,表面生长,应力累积,Ge/Si,硅材料,纳米结构,形貌,层状生长,物理系,
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]汪雷,唐景昌,杨德仁,王学森,胡艳芳.硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究[J]真空科学与技术.2002,(02)
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