顾孝义
【姓名】 顾孝义
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 漩涡缺陷,缀饰,吸除工艺,本征,吸除,硅单晶,微缺陷,剥层,吸除效果,实验研究,剖面分布,清洁区,无位错,CZ硅,中子活化,活化分析,热处理,少子产生寿命,反向漏电流,复旦大学,氧浓度,吸收系数,带电...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】
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[1]宗祥福,陈一,曹厚钧,顾孝义,郑家芝.硅单晶漩涡缺陷的铜缀饰腐蚀显示[J]半导体学报.1982,(05)
[2]宗祥福,顾孝义,戚盛勇,神承复,罗林基,黄慧玲,俞桂贞,袁小莺,秦涛,杨灏,陈智生.氧本征吸除工艺的实验研究[J]电子学报.1985,(01)
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