孙恒慧
【姓名】 孙恒慧
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 价带偏移,单量子阱,氢钝化,负峰,量子阱,赝晶,蒸铝,深能级瞬态谱,半绝缘,瞬态谱,界面缺陷,外延层,能带偏移,缺陷能级,重掺硼,热发射,方法研究,光电流,快速退火,铝栅,分子束,砷化镓,硼富集,反偏...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]陆 昉 ，龚大卫，孙恒慧.同质硅分子束外延层的界面缺陷的研究[J]物理学报.1994,(07)
[2]许强,王建宝,袁健,陆昉,孙恒慧.重掺硼快速退火分子束外延硅的X射线衍射研究[J]物理学报.1995,(03)
[3]王建宝，袁健，杨敏，黄大鸣，陆方，孙恒慧.重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究[J]应用科学学报.1995,(04)
[4]陆昉，王勤华，王建宝，蒋家禹，孙恒慧.结区中存在量子阱结构样品的C－V特性分析[J]半导体学报.1996,(04)
[5]谌达宇,王建宝,靳彩霞,陆日方,孙恒慧.光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究[J]电子显微学报.1997,(04)
[6]张胜坤,陆昉,陈溪滢,孙恒慧.存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究[J]复旦学报(自然科学版).1997,(03)
[7]张博,王建宝,刘晓晗,龚大卫,陆方,孙恒慧.亚稳态Ge_xSi_(1-x)/Si单量子阱的缺陷性质[J]固体电子学研究与进展.1997,(02)
[8]孙恒慧,盛篪,陈巧珍,冯冠华,袁瑞舜.n型硅中铂和钯的电学性质[J]半导体学报.1981,(02)
[9]盛篪,陈巧珍,孙恒慧,张增光.高阻n型硅的电子辐照[J]半导体学报.1982,(06)
[10]张增光,王德仁,刘钰铭,孙恒慧,徐瑗.电子辐照控制少子寿命及所形成缺陷的性质[J]核技术.1983,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]谌达宇;王建宝;靳彩霞;陆昉;孙恒慧;.光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究[A].1996年中国青年学者物理学讨论会——薄膜材料与物理论文集.1996-06-01
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