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[1]张秀淼,包宗明,苏九令.由MOS结构对线性电压扫描的瞬态响应测定产生寿命和表面产生速度[J]半导体学报.1982,(03)
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[2]黄惠玲,许寿祥,邱兴镛,张秀淼,苏九令,包宗明.电子辐照消除CMOS电路自锁效应的探讨[J]半导体学报.1982,(06)
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[3]张冠生,唐厚舜,黄杜森,苏九令,余夕同.氧等离子体条件下GaAs的阳极自体氧化[J]半导体技术.1983,(02)
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[4]张秀淼,包宗明,苏九令.阶跃电压法确定产生寿命和表面产生速度[J]物理学报.1983,(02)
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[5]王昌平,刘彬,吴晓毅,苏九令,缪伯才,钱佑华.半导体低温激光荧光光谱测定硅中的硼磷含量[J]红外研究.1984,(04)
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[6]苏九令,包宗明,王昌平,陆桂华,倪玫,吴树恩,黄正义,杨中柱,陈肯.用光声谱研究硅单晶中~(31)P~+离子注入[J]红外研究.1984,(04)
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[7]苏九令,包宗明,王昌平,陆桂华,倪玫,陈肯,杨中柱,黄正义,吴树恩.用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~+离子注入[J]半导体学报.1985,(02)
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[8]张素英,林杏潮,唐荷珍,苏九令.垂直无籽晶汽相输运生长CdTe晶体[J]红外研究(A辑).1986,(05)
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[9]张素英,林杏潮,唐文国,贾沛民,苏九令.三元系Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长[J]红外研究(A辑).1986,(05)
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[10]侯庄,苏九令,王昌平,屈逢源.光致发光法检测用于转移电子器件的GaAs材料[J]应用科学学报.1989,(04)
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