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[4]陈圣,徐润,朱燕艳,方泽波,薛菲,樊永良,蒋最敏.Er_2O_3薄膜的电学性质研究[J]江西科学.2005,(05)
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[9]盛篪，周铁城，龚大卫，樊永良，王建宝，张翔九，王迅.在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格[J]半导体学报.1996,(01)
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[10]盛篪,龚大卫,樊永良,刘晓晗,黄大鸣,王迅.用电化学方法在硅中掺铒发光的研究[J]自然科学进展.1996,(06)
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