阮刚
【姓名】 阮刚
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 延迟,速度饱和,倒相器,互连效应,SPICE模拟,有机聚合物介质,RLC电路模型,互连电容,极大规模集成电路,低介电常数材料,互连线,无机介质,趋肤效应,模拟电荷法,光互连,格林函数法,导体,电流密度...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]韩忠方;茹国平;阮刚;.Analysis of the subthreshold characteristics of vertical tunneling field effect transistors[J]Journal of Semiconductors.2013,(01)
[2]李惟一;茹国平;蒋玉龙;阮刚;.Trapezoid mesa trench metal-oxide semiconductor barrier Schottky rectifier:an improved Schottky rectifier with better reverse characteristics[J]Chinese Physics B.2011,(08)
[3]茹国平;俞融;蒋玉龙;阮刚;.Thermal activation of current in an inhomogeneous Schottky diode with a Gaussian distribution of barrier height[J]Chinese Physics B.2010,(09)
[4]肖夏;姚素英;阮刚;.超大规模集成电路互连系统的布线构造对散热的影响(英文)[J]半导体学报.2006,(03)
[5]肖夏;姚素英;阮刚;.表面波表征ULSI互连布线双层薄膜机械特性的理论计算[J]电子学报.2006,(05)
[6]王锡明;周嘉;阮刚;LEE H-D;.基于45nm技术的ULSI互连结构的温度模拟[J]微电子学.2007,(04)
[7]肖夏,菅端端,姚素英,张生才,阮刚.Extraction of ULSI Interconnect Resistance at High Frequencies[J]Transactions of Tianjin University.2005,(03)
[8]宋任儒,阮刚,梁擎擎,ReinhardStreiter,ThomasOtto,ThomasGessner.基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型[J]半导体学报.2000,(07)
[9]阮刚,肖夏,宋任儒,Reinhard Streiter,Thomas Otto,Thomas Gessner.VLSI电路中互连线的延迟及串扰的数值模拟[J]电子学报.2000,(05)
[10]阮刚,肖夏,朱兆.低介电常数(lowk)介质在ULSI中的应用前景[J]电子学报.2000,(11)
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