邬建根
【姓名】 邬建根
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 快速热退火,深能级缺陷,晶向,喇曼散射,光退火,闪锌矿结构,瞬态谱,深能级,少数载流子寿命,视见函数,薄层,位错,硅光电探测器,离子注入,极值法,吸除,硼扩散,漏电流,本征,英文,铝合金,少子寿命,晶...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]邬建根,沈金萱,屈逢源,杨恒青,赵有源,高如芳.CW CO_2激光退火后离子注入硅片的性质研究[J]电子学报.1983,(02)
[2]吴华生,劳浦东,邬建根,屈逢源.用喇曼光谱术研究注硼硅片的损伤分布[J]红外研究.1984,(04)
[3]吴华生,劳浦东,邬建根,屈逢源.用喇曼光谱测注硼硅片的损伤分布[J]半导体学报.1985,(05)
[4]陆昉,陆峰,孙恒慧,邬建根.快速热退火在Si中引入缺陷的研究(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[5]吴华生,邬建根,屈逢源.喇曼散射光极值法定闪锌矿结构薄层的晶向(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[6]郑国祥,邬建根,王昌平,屈逢源.磷吸除的机理及光电探测器的研制(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[7]吴华生,劳浦东,邬建根,屈逢源.喇曼散射光极值法定金刚石结构薄层的晶向[J]物理学报.1989,(01)
[8]郭慧,邬建根,沈孝良,屈逢源,金辅政,张建平,朱景兵.快速热退火铝合金降低硅p~+-n结的漏电流[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
[9]朱景兵,邬建根,屈逢源.灯光退火装置及其均匀性[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
[10]陆昉,陆峰,孙恒慧,邬建根.快速热退火在硅中引入的缺陷的研究[J]半导体学报.1990,(01)
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