王永发
【姓名】 王永发
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 类金刚石薄膜,生长研究,硅化钨,等离子增强,化学汽相淀积,淀积速率,低压化学气相淀积,碳化硅,直流辉光放电,生长机理,LPCVD,氮氧化硅薄膜,热力学研究,化学气相淀积,解析表达式,碳氮化硅,击穿电场...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]王永发,王季陶.化学汽相淀积钨及硅化钨膜[J]复旦学报(自然科学版).1987,(04)
[2]王季陶,王永发,王焕杰,周庆.CVD 钨的淀积和性质研究[J]微电子学与计算机.1987,(02)
[3]张世理;王永发;.化学蒸汽淀积簿膜工艺中复相体系的热力学计算[J]计算机与应用化学.1987,(04)
[4]张伟,周庆,王永发,王焕杰,王季陶,刘德中.等离子增强化学汽相淀积SiC_x:H和SiN_xC_y:H薄膜的特点[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[5]王海荣,王永发,王焕杰,张伟,王季陶.类金刚石薄膜的生长研究[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[6]王永发,张世理,周庆,王季陶.化学气相淀积硅化钨体系热力学研究[J]电子学报.1989,(03)
[7]王永发,张世理,王季陶.LPCVD淀积速率分布的解析表达式[J]半导体学报.1989,(08)
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