王晓光
【姓名】 王晓光
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;数学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 半导体行业相关工作
【发表文献关键词】 LNO,脉宽,氧化物电极,抗疲劳特性,铁电电容,化学溶液淀积,铁电体,疲劳,铁电薄膜,LaNiO_3,读出窗口,电阻率,D触发器,频率,互补金属氧化物半导体,镧锶钴氧,钛酸铋,淀积方法,可编程门阵列,...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]康晓旭,林殷茵,汤庭鳌,王晓光,钟宇,黄维宁,姜国宝.Pb(Zr_(0.6)Ti_(0.4))O_3/LaNiO_3铁电电容的制备及其疲劳特性[J]半导体学报.2003,(06)
[2]康晓旭,林殷茵,汤庭鳌,钟宇,黄维宁,姜国宝,王晓光.LNO薄膜电极的制备及其特性研究[J]功能材料.2003,(03)
[3]程旭,汤庭鳌,王晓光,钟宇,康晓旭.一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用[J]固体电子学研究与进展.2004,(01)
[4]王晓光,林殷茵,汤庭鳌.Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征[J]半导体技术.2004,(03)
[5]程旭,汤庭鳌,钟宇,王晓光,康晓旭.铁电非挥发逻辑的设计和应用[J]固体电子学研究与进展.2004,(04)
[6]钟宇,王晓光,林殷茵,黄维宁,汤庭鳌.La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用[J]固体电子学研究与进展.2005,(02)
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