彭承
【姓名】 彭承
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 分子束外延硅,电子辐照,引入率,界面缺陷,半绝缘,体内和,深能级,少子扩散长度,光伏法,分子束外延,CdTe,截面谱,磷化,辐照前,界面态密度,电子-声子相互作用,单空位,表面复合速率,光电离,外延层...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]彭承,孙恒慧.电子辐照InP的体内和界面缺陷研究[J]物理学报.1987,(11)
[2]彭承,盛篪,孙恒慧.单边分子束外延硅pn结C-V关系的新特点[J]物理学报.1988,(06)
[3]彭承,李建林,陆峻,孙恒慧.掺铁半绝缘磷化铟的深能级研究[J]半导体学报.1990,(03)
[4]王周成,彭瑞伍,彭承,孙恒慧.电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度[J]半导体学报.1990,(08)
[5]彭承,孙恒慧,唐文国,李自元.半绝缘InP的铁能级研究[J]半导体学报.1991,(05)
[6]彭承,陆叶华,孙恒慧,唐文国,李自元.MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究[J]半导体学报.1993,(03)
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