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[2]康晓旭,林殷茵,汤庭鳌,钟宇,黄维宁,姜国宝,王晓光.LNO薄膜电极的制备及其特性研究[J]功能材料.2003,(03)
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[3]黄维宁,姜国宝,林殷茵,汤庭鳌.铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
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[4]颜雷,汤庭鳌,黄维宁,姜国宝,钟琪,汤祥云.MFIS结构的C-V特性[J]半导体学报.2000,(12)
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[5]姜国宝,黄维宁,汤庭鳌.铁电电容的电极结构[J]固体电子学研究与进展.2000,(03)
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[6]颜雷,汤庭鳌,黄维宁,姜国宝.用于MFIS的ZrO_2薄膜的制备及特性研究[J]固体电子学研究与进展.2000,(04)
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[7]林殷茵,汤庭鳌,黄维宁,姜国宝,姚熹.二氧化锡薄膜的电阻气敏和光透射率气敏性能[J]无机材料学报.2000,(06)
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[8]颜雷,林殷茵,汤庭鳌,黄维宁,姜国宝.应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性[J]半导体学报.2002,(03)
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[9]姚海平,钟琪,黄维宁,姜国宝,洪晓菁,汤庭鳌.集成铁电电容的制备和研究[J]半导体技术.1999,(04)
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[10]颜雷,黄维宁,姜国宝,汤庭鳌.新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)[J]微电子技术.1998,(03)
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