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黄骁虎
【姓名】
黄骁虎
【职称】
【研究领域】
物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
反型层,子迁移率,载流,表面粗糙散射,掺杂浓度,温度范围,迁移率模型,沟道,迁移率,MOSFET,杂质散射,晶格散射,散射机制,实验数据,空穴,高温范围,载流子运动,模型计算值,提取常数,物理意义,
【工作单位】
复旦大学
【曾工作单位】
复旦大学;
【所在地域】
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中国期刊全文数据库
共找到1篇
[1]黄骁虎,阮刚.
适用于宽温度范围和不同沟遭掺杂浓度的MOSFET反型层载流子迁移率模型
[J]半导体学报.1994,(03)
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