黄维宁
【姓名】 黄维宁
【职称】 副教授;
【研究领域】 计算机硬件技术;无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体工艺和器件的研究工作
【发表文献关键词】 金属/铁电/半导体场效应管,铁电薄膜,铁电不挥发存储器,不挥发非破坏性读出铁电存储器,存储窗口,介质层,薄膜,电滞回线,气敏,ZrO_2薄膜,二氧化锡,制备及特性,光透射率,铁电电容,溶胶-凝胶,不挥...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]康晓旭,林殷茵,汤庭鳌,王晓光,钟宇,黄维宁,姜国宝.Pb(Zr_(0.6)Ti_(0.4))O_3/LaNiO_3铁电电容的制备及其疲劳特性[J]半导体学报.2003,(06)
[2]康晓旭,林殷茵,汤庭鳌,钟宇,黄维宁,姜国宝,王晓光.LNO薄膜电极的制备及其特性研究[J]功能材料.2003,(03)
[3]黄维宁,姜国宝,林殷茵,汤庭鳌.铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
[4]曾磊,周嘉,黄维宁,黄宜平.基于微悬臂梁的生化传感器[J]传感器技术.2004,(06)
[5]钟宇,王晓光,林殷茵,黄维宁,汤庭鳌.La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用[J]固体电子学研究与进展.2005,(02)
[6]颜雷,汤庭鳌,黄维宁,姜国宝,钟琪,汤祥云.MFIS结构的C-V特性[J]半导体学报.2000,(12)
[7]姜国宝,黄维宁,汤庭鳌.铁电电容的电极结构[J]固体电子学研究与进展.2000,(03)
[8]颜雷,汤庭鳌,黄维宁,姜国宝.用于MFIS的ZrO_2薄膜的制备及特性研究[J]固体电子学研究与进展.2000,(04)
[9]林殷茵,汤庭鳌,黄维宁,姜国宝,姚熹.二氧化锡薄膜的电阻气敏和光透射率气敏性能[J]无机材料学报.2000,(06)
[10]林殷茵,汤庭鳌,黄维宁,宋浩然.用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能[J]固体电子学研究与进展.2001,(02)
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