黄大鸣
【姓名】 黄大鸣
【职称】 教授;
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】 半导体异质结构、量子阱和超晶格的光学性质研究及其在光电器件中的应用
【发表文献关键词】 Ge量子点,量子点,人工晶体,光电子器件,闪锌矿结构,量子,超晶格,半导,半导体微腔,半导体,光子,光电子,半导体量子点,光致发光,Ge组分,GaAs,合金薄膜,喇曼光谱,掩模,外延层,PL谱,双激子...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[2]姚成军;黄大鸣;施道航;焦广泛;.量子效应和小型化对隧穿晶体管特性的影响[J]微电子学.2013,(02)
[3]罗勇;黄大鸣;刘文军;李名复;.Boundary condition and initial value effects in the reaction-diffusion model of interface trap generation/recovery[J]半导体学报.2009,(07)
[4]黄新运;焦广泛;沈忱;曹伟;黄大鸣;李名复;.Diagram representations of charge pumping processes in CMOS transistors[J]半导体学报.2010,(08)
[5]盛传祥,王兴军,俞根才,黄大鸣.ZnSe薄膜的激子光谱[J]半导体学报.2000,(12)
[6]魏彦锋,方维政,刘从峰,杨建荣,何力,王福建,王兴军,黄大鸣.Cd1-xZnxTe合金的退火研究[J]半导体学报.2001,(08)
[7]魏彦锋,黄大鸣,王兴军,俞根才,诸长生,王迅.ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱[J]半导体学报.1999,(06)
[8]裴成文,秦捷,刘晓晗,胡冬枝,张翔九,黄大鸣,蒋最敏.Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究[J]半导体学报.1999,(07)
[9]杨敏，黄大鸣，郝平海，张甫龙，侯晓远，王迅.空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响[J]物理学报.1994,(03)
[10]张甫龙，侯晓远，杨敏，黄大鸣，王迅.多孔硅发光稳定性的改进[J]物理学报.1994,(03)
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[1]杨合情;黄大鸣;姚熹;.Sol-gel Synthesis and Photoluminescence of InP Nanocrystals Embedded in Silica Glasses[A].中国化学会第九届全国应用化学年会论文集.2005-09-01
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[1]黄大鸣.纳米CMOS器件的可靠性表征技术、失效机理及预测模型研究[A].复旦大学.项目经费 200万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇
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