廖良生
【姓名】 廖良生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SiO_2薄膜,硅基发光材料,有机薄膜,多孔硅,离子注入,电致发光,微腔,电致发,失效分析,多重分形谱,有机薄膜电致发光,气泡,观测及分析,光器件,失效过程,热氧化,失效机理,器件失效,发光区,暗斑,...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]刘小兵,熊祖洪,史向华,袁帅,廖良生.经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性[J]半导体学报.2000,(01)
[2]徐正,廖良生,李振声,李述汤,Inbase karan M,Woo E P,Wu W W.有机小分子发光材料与聚合物发光材料在大气存放条件下的稳定性对比研究[J]发光学报.2000,(03)
[3]周美娟,钟高余,何钧,廖良生,侯晓远.有机半导体电致发光器件中的焦耳热效应和有机物热分解[J]半导体学报.2001,(08)
[4]周美娟,何钧,廖良生,侯晓远.有机薄膜电致发光器件工艺检测的一种简便方法——覆膜加热观测法[J]发光学报.2001,(02)
[5]周美娟,廖良生.不同气氛下激光幅射对硅基Alq_3薄膜光致发光特性的影响[J]井冈山师范学院学报.2002,(06)
[6]王晓平,周翔,何钧,廖良生,吴自勤.有机薄膜电致发光失效过程的多重分形谱研究[J]物理学报.1999,(10)
[7]廖良生,缪熙月,周翔,熊祖洪,何钧,邓振波,侯晓远.铟锡氧化物电极中In的扩散对有机薄膜电致发光器件发光区暗斑形成的影响[J]自然科学进展.1999,(01)
[8]廖良生,熊祖洪,袁帅,侯晓远,刘小兵.硅基SiN_xO_y薄膜的光致发光[J]科学通报.1997,(17)
[9]廖良生,侯晓远.热氧化SiO_2薄膜注C~+后的光致发光[J]自然科学进展.1997,(05)
[10]廖良生,侯晓远.Photoluminescence from C~+ -implanted SiO_2 films thermally grown on crystalline silicon[J]Progress in Natural Science.1997,(04)
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