贺仲卿
【姓名】 贺仲卿
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaSb,GaAs,再构,多孔硅,表面再构,GaN薄膜,分子束外延生长,GaAs表面,LEED,表面相互作用,损失谱,价带,光电子,温度效应,原子,半高宽,新方法,二聚物,置换反应,成键,ECR源,薄...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]郝平海，侯晓远，丁训民，贺仲卿，蔡卫中，王迅.用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构[J]半导体学报.1995,(01)
[2]贺仲卿,侯晓远,丁训民.GaSb(100)的表面再构[J]物理学报.1992,(08)
[3]卢学坤,郝平海,贺仲卿,侯晓远,丁训民.P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应[J]物理学报.1992,(10)
[4]贺仲卿,丁训民,王迅.分子束外延生长GaN薄膜的新方法[J]物理.1993,(10)
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