黄庆红
【姓名】 黄庆红
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 快速退火,DLTS,磷离子注入,缺陷研究,离子注,低剂量,缺陷浓度,淬火效应,平衡电容,载流子浓度,深能级,热应力,损伤缺陷,位错,磷离子,离子注入,退火温度,连续谱,深能级缺陷,电学性质,
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]李晓雷,陆昉,孙恒慧,黄庆红.低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究[J]物理学报.1992,(06)
[2]李先皇,黄庆红,陆昉,孙恒慧.硼离子注入n型硅的快速退火特性[J]复旦学报(自然科学版).1993,(03)
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