学者知网节

丁士进

【姓名】	丁士进
【职称】	教授;研究员;
【研究领域】	无线电电子学;材料科学;金属学及金属工艺;
【研究方向】	包括非易失性存储器件
【发表文献关键词】	金刚石薄膜,AF薄膜,化学气相淀积,旋涂,CVD金刚石薄膜,取向生长,化学汽相淀积,热力学,铈,铽,低介电常数,等离子体增强化学气相淀积,非晶碳膜,衬底温度,热力学分析,XPS,a-SiCOF薄膜,热...
【工作单位】	复旦大学
【曾工作单位】	复旦大学;
【所在地域】	上海

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
0/105	40	50	13	294	8931

中国期刊全文数据库 共找到57篇

[1]马兰;吴小晗;丁士进;.钌在纳米尺度集成电路互连中的应用与挑战[J]功能材料与器件学报.2025,(03)

[3]蒋征;张亚梅;李培培;叶五毛;丁士进;.非晶碳薄膜在芯片制程中作为硬掩模应用的特性研究[J]微纳电子与智能制造.2022,(01)

[5]李凌凯;王晓琳;裴俊翔;刘文军;吴小晗;张卫;丁士进;.用于神经形态计算的具有可调功能的浮栅光敏突触晶体管（英文）[J]Science China Materials.2021,(05)

[6]刘浩;刘文军;肖懿凡;刘超超;吴小晗;丁士进;.Band Alignment at the Al_2O_3/β-Ga_2O_3 Interface with CHF_3 Treatment[J]Chinese Physics Letters.2020,(07)

[7]张立锋;徐赛生;王凡;丁士进;张卫;.高端集成电路工艺实验室管理探究[J]实验室科学.2020,(04)

[8]王永平;丁子君;朱宝;刘文军;丁士进;.TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能[J]材料研究学报.2019,(01)

[9]邵龑;丁士进;.氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响[J]物理学报.2018,(09)

[10]郑和梅;孙顺明;刘浩;还亚炜;杨建国;朱宝;刘文军;丁士进;.Performance Improvement in Hydrogenated Few-Layer Black Phosphorus Field-Effect Transistors[J]Chinese Physics Letters.2018,(12)

中国重要会议全文数据库 共找到4篇

[1]张卫;王鹏飞;张庆全;丁士进;王季陶;.等离子体化学气相淀积新型低介电常数SiCOF介质薄膜[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01

[2]张卫;王鹏飞;张庆全;丁士进;王季陶;.氧等离子体处理对低介电常数SiOF薄膜性能的影响[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01

[3]徐敏;张卫;孙清清;丁士进;王季陶;.Si衬底上原子层淀积Al_2O_3薄膜的界面层抑制[A].第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛论文集.2006-08-01

[4]陈敏娜;丁士进;张卫;汪礼康;.直流和脉冲电镀镍层的形貌和结构比较研究[A].2007年上海市电子电镀学术年会论文集.2007-11-01