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[2]周星飞,施斌,蒋伟荣,胡冬枝,樊永良,龚大卫,张翔九,蒋最敏.硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响[J]半导体学报.2000,(08)
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[3]李宝军,万建军,李国正,刘恩科,胡冬枝,裴成文,秦捷,蒋最敏,王迅.GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制[J]光电子·激光.2000,(01)
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[4]胡冬枝,杨建树,蔡群,张翔九,胡际璜,蒋最敏.退火过程中自组织生长 Ge量子点的变化(英文)[J]半导体学报.2002,(06)
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[5]胡冬枝,赵登涛,蒋伟荣,施斌,顾骁骁,张翔九,蒋最敏.Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长[J]半导体学报.2002,(06)
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[6]周星飞,施斌,胡冬枝,樊永良,龚大卫,蒋最敏.量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响[J]半导体学报.2002,(07)
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[7]张胜坤,蒋最敏,秦捷,林峰,胡冬枝,裴成文,陆方.电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移[J]半导体学报.1999,(02)
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[8]裴成文,秦捷,刘晓晗,胡冬枝,张翔九,黄大鸣,蒋最敏.Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究[J]半导体学报.1999,(07)
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[9]胡冬枝,朱海军,蒋最敏,黄大鸣,张翔九,王迅.Si中Ge量子点的光致发光[J]半导体学报.1997,(12)
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[10]蒋最敏,朱海军,朱建红,毛明春,徐阿妹,胡冬枝,张翔九,王迅.硅中δ掺杂材料的表征[J]电子显微学报.1997,(04)
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