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冯向明
【姓名】
冯向明
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】
刻蚀速率,光刻胶,反应离子刻蚀,统计数学,刻蚀工艺,反应离子,刻蚀机理,光刻模型,干法刻蚀,VLSI,工艺优化,速率模型,线条宽度,光刻工艺,化学因素,模型建立,工艺模拟,线条,投影式,抗蚀剂,VLS...
【工作单位】
复旦大学
【曾工作单位】
复旦大学;
【所在地域】
上海
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共找到3篇
[1]冯向明.
一种建立反应离子刻蚀速率模拟的实用化方法
[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[2]冯向明,阮刚.
适用于VLSI的光刻模型及模拟的若干研究
[J]应用科学学报.1989,(02)
[3]冯向明,阮刚.
一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型
[J]半导体学报.1990,(01)
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