吴清鑫
【姓名】 吴清鑫
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 射频MEMS开关研究
【发表文献关键词】 光刻胶,剥离工艺,氮化硅薄膜,PECVD法,聚酰亚胺,残余应力,,;氏模量,MEMS,射频开关,金薄膜,MEMS开关,杨氏模量,沉积温度,侧壁,薄膜力学性能,性能研究,工艺参数,热应力,气体流量比,本...
【工作单位】 福州大学
【曾工作单位】 福州大学;
【所在地域】 福建福州
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[1]于映;吴清鑫;罗仲梓;.氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用[J]传感技术学报.2006,(05)
[2]陈光红,于映,罗仲梓,吴清鑫.AZ5214E反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用[J]功能材料.2005,(03)
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