赵文彬
【姓名】 赵文彬
【职称】
【研究领域】 计算机软件及计算机应用;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电可改写存贮器,绝缘可靠性,隧道氧化层,击穿电荷,E~2PROM,英文,监测,电荷陷阱,内在机理,恒定电流,测试表,测试方法,东南大学,高质量,可获得,电路,质量,
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]赵正旭;戴欢;赵文彬;袁洁;.基于惯性动作捕捉的人体运动姿态模拟[J]计算机工程.2012,(05)
[2]赵文彬;赵正旭;.基于Voronoi图的工程数据格式转换研究[J]计算机工程.2012,(06)
[3]赵文彬,肖明,徐征,张安康.击穿电荷(QBD):监测E~2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法(英文)[J]电子器件.1999,(01)
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