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【姓名】	张佐兰
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;自动化技术;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】	自停止,光电元件,电化学腐蚀,硅膜,腐蚀自停止,NMOS器件,溶液电化学,载流子效应,直接键合,SOI材料,报警,抛光工艺,薄膜制备,大面积均匀,低温热,SDB技术,载流,超大规模集成电路,双向超温,...
【工作单位】	东南大学
【曾工作单位】	东南大学;
【所在地域】	南京市

中国期刊全文数据库 共找到24篇

[1]张佐兰.几种新型的光电器件[J]半导体光电.1994,(01)

[2]张佐兰.新型的SOI技术[J]半导体技术.1994,(03)

[3]田耘,张佐兰,童勤义,简耀光.SOI/SDB中一种减薄技术——电化学腐蚀自停止机理的研究与应用[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)

[4]张佐兰.半导体光电元件的应用[J]传感器技术.1989,(06)

[5]张佐兰;田耘;简耀光;.传感器硅膜制备技术的研究[J]传感器技术.1989,(01)

[6]张佐兰;冯耀兰;刘荣章;陈剑云;.薄氧化膜特性研究[J]电子工艺技术.1989,(03)

[7]张佐兰.薄膜制备新技术[J]固体电子学研究与进展.1990,(03)

[8]张佐兰.电化学腐蚀自停止制备Si膜的新技术[J]材料科学进展.1990,(06)

[9]孟江生,魏同立,张佐兰,郑茳,周东海.NMOS器件低温热载流子效应的研究[J]低温与超导.1990,(03)

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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