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【姓名】	张少勇
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;电力工业;
【研究方向】	器件建模
【发表文献关键词】	参数提取,硅双极型晶体管,Mextram,可缩放模型,区域化,CMOS工艺,模型参数值,可缩放性,单管,测试数据,CMOS器件,模型参数,器件模型,几何尺寸,区间,BSIM3,提取方法,近似处理,计算...
【工作单位】	东南大学
【曾工作单位】	东南大学;
【所在地域】	南京

中国期刊全文数据库 共找到5篇

[1]池毓宋;黄风义;吴忠洁;张少勇;孔晓明;王志功;.0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟[J]半导体学报.2006,(02)

[2]孔晓明;黄风义;王志功;张少勇;.低功耗2.4GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计[J]电气电子教学学报.2006,(01)

[3]吴文刚;李轶;黄风义;韩翔;张少勇;李志宏;郝一龙;.表面镀铜悬浮厚单晶硅螺线MEMS电感(英文)[J]半导体学报.2006,(04)

[4]张少勇,黄风义,池毓宋,吴忠洁,姜楠.基于区域化的CMOS模型参数提取方法[J]电气电子教学学报.2005,(03)

[5]池毓宋,黄风义,张少勇,吴忠洁.硅双极型晶体管的可缩放MEXTRAM模型及参数提取[J]微电子学.2005,(05)

中国优秀硕士学位论文全文数据库 共找到1篇

[1]张少勇.MOSFET模型及MUX/DEMUX电路设计[D].东南大学.2006

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