肖志雄
【姓名】 肖志雄
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电离率,物理参数,重掺杂硅,硅中杂质,温特,有效多数载流子浓度,禁带变窄效应,浅杂质能级,爱因斯坦关系,低温特性,重掺杂,温重,冻析效应,掺杂硅,晶体管电流增益,杂质电离,掺杂浓度,硅双极,爱因斯坦,...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/19 12 13 8 17 1540
中国期刊全文数据库    共找到19篇
[1]郑茳，吴金，肖志雄，魏同立.H_（FE）超低温度系数的硅双极晶体管[J]电子学报.1994,(05)
[2]吴金，魏同立，郑茳，肖志雄.低温载流子冻析效应及其对半导体器件电性能的影响[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
[3]郑茳，吴金，肖志雄，魏同立.非晶硅发射区双极晶体管的低温特性[J]微电子学.1994,(06)
[4]肖志雄，郑茳，吴金，魏同立.适用于液氮温度工作的硅双极晶体管[J]高技术通讯.1994,(09)
[5]王明网，魏同立，肖志雄，李.77K下硅中杂质电离率的计算[J]东南大学学报.1995,(06)
[6]肖志雄，郑茳，魏同立，卓伟，王明网.重掺杂硅费米能级和少数载流子浓度的温度特性分析[J]低温物理学报.1995,(02)
[7]肖志雄，郑茳，魏同立，王明网，卓伟，吴金.重掺杂硅物理参数的低温特性分析[J]电子学报.1995,(08)
[8]肖志雄，魏同立，郑茳，徐明洁.低温重掺杂硅爱因斯坦关系的修正[J]固体电子学研究与进展.1995,(04)
[9]郑茳，肖志雄，吴金，魏同立.硅低温双极晶体管的优化设计与制备─—I．优化设计理论[J]微电子学.1995,(01)
[10]郑茳，肖志雄，吴金，魏同立.硅低温双极晶体管的优化设计与制备──Ⅱ结构与电特性分析[J]微电子学.1995,(02)
更多