叶晖
【姓名】 叶晖
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 新型高频MOS器件
【发表文献关键词】 薄膜双栅,双栅金属氧化物半导体场效应管,对称,等电位近似,硅膜,强反型界限,跨导最大变化法,MOSFET,器件模型,双栅,阈值电压,硅栅,nMOSFET,等电位,MOSFET器件,反型,亚阈值区,强反...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 江苏南京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/2 2 0 1 4 164
中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]沈寅华,李伟华,叶晖,陈炜.纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型[J]固体电子学研究与进展.2002,(01)
[2]叶晖,李伟华.对称薄膜双栅nMOSFET模型的研究[J]微电子学.2002,(06)
更多