孙智林
【姓名】 孙智林
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;
【研究方向】 功率器件与电路、SOI材料与应用等方面的研究
【发表文献关键词】 LDMOS,漂移区,SOI,表面注入,导通电阻,功率集成电路,LDMOSFET,半导体工艺,功率器件,兼容工艺,驱动芯片,击穿电压,场氧,RESURF,高压LDMOS器件,低压驱动电路,高压输出驱动电...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]孙伟锋;孙智林;易扬波;陆生礼;时龙兴;.高压P-LDMOS的栅击穿及其改进方法(英文)[J]Journal of Southeast University(English Edition).2006,(01)
[2]孙智林,孙伟锋,易扬波,吴建辉.一种新型低阻SOIP-LDMOS研究[J]功能材料与器件学报.2004,(01)
[3]易扬波,孙伟锋,孙智林,陈畅,陆生礼.PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究[J]应用科学学报.2004,(02)
[4]孙智林,孙伟锋,易扬波,陆生礼.LDMOSFET漂移区参数灵敏度分析[J]微电子学.2004,(02)
[5]陈畅,孙智林,孙伟锋,吴建辉.PDP显示驱动芯片的高速高低压接口电路的设计[J]液晶与显示.2004,(03)
[6]孙智林,孙伟锋,易扬波,陆生礼.高可靠性P-LDMOS研究[J]半导体学报.2004,(12)
[7]陆生礼;孙智林;孙伟锋;时龙兴;.漂移区纵向线性掺杂的SOI高压器件研究(英文)[J]半导体学报.2005,(12)
[8]孙智林,孙伟锋,吴建辉.SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响[J]半导体学报.2005,(03)
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