钱莉
【姓名】 钱莉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 双栅,MOSFET,双栅MOSFET,自对准栅,双极工艺,栅不对准,双栅MOS场效应晶体管,自对准,三维集成,沟道区,漏区,对准误差,氧化层,覆盖电容,埋层,氮化物,沟道,硅膜,发射区,栅极,最高振荡...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]方圆,李伟华,钱莉.一种基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET的结构与工艺[J]微电子学.2004,(04)
[2]钱莉,李伟华.自对准双栅MOSFET的结构与工艺实现[J]电子器件.2002,(03)
[3]钱莉,李伟华.栅对准误差对双栅MOSFET性能影响的分析[J]电子器件.2002,(04)
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