孟江生
【姓名】 孟江生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MOS器件,NMOS,双极型晶体管,迁移率,电流增益,发射区,微电子器件,和电路,双极器件,本征载流子浓度,硅晶体管,重掺杂,晶体管,短沟道,中低温,杂质浓度,双极型,LB绝缘薄膜,子迁移率,I-V特...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]戴建国，孟江生，陈健人，茅洁，李红.表面组装与芯片键合混合工艺浅探[J]电子器件.1995,(04)
[2]孟江生.一种新型CMOS磁敏集成传感器研制成功[J]电子器件.1988,(04)
[3]郑茳,黄勤,陈卫东,孟江生,魏同立.重掺杂N型硅中低温本征载流子浓度(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[4]郑茳,魏同立,冯耀兰,孟江生.低温微电子器件和电路——低温 MOS 器件的研究[J]低温与超导.1989,(03)
[5]郑茳,魏同立,孟江生.低温双极器件的研究(Ⅰ)[J]低温与超导.1990,(01)
[6]陈卫东,郑茳,孟江生,魏同立.一种能在77K下工作的双极型晶体管[J]固体电子学研究与进展.1990,(01)
[7]郑茳,林慈,孟江生,魏同立,韦钰.超薄的金属/LB绝缘膜/半导体结构的C—V和I-V特性[J]电子科学学刊.1990,(04)
[8]郑茳,魏同立,孟江生.低温双极器件的研究(Ⅱ)[J]低温与超导.1990,(02)
[9]孟江生,魏同立,张佐兰,郑茳,周东海.NMOS器件低温热载流子效应的研究[J]低温与超导.1990,(03)
[10]张佐兰;孟江生;陈卫东;魏同立;.半导体光电探测器[J]半导体光电.1990,(01)
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