吕世骥
【姓名】 吕世骥
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 雪崩注入,电子陷阱,场助键合,S0I材料,陷饼,GaAs,键合工艺,测量方法,触觉传感,平带电压,介质膜,SOI材料,俘获截面,压电,键合技术,等离子体,表面处理,能级,平行板电极,接触电极,C-V曲...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]蔡跃明;赵刚;吕世骥;.∑△D/A转换原理及应用[J]半导体杂志.1996,(01)
[2]蔡跃明,吕世骥,简耀光.等离子体二氧化硅的制备及特性[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[3]黄学良,吕世骥.硅的CF_4增强等离子体氧化与氮化研究[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[4]蔡跃明,吕世骥.电子陷阱的雪崩注入测量方法[J]半导体技术.1989,(06)
[5]阮宝崧,吕世骥,蔡跃明.自分光式色敏器件理论设计[J]传感技术学报.1989,(02)
[6]吕世骥,郭耀华,阮宝崧,蔡跃明.SiO_2薄膜的等离子体改性及其应用研究[J]真空科学与技术.1989,(04)
[7]吕世骥;蔡跃明;郭耀华;.等离子体氮化SiO_2膜中电子陷阱的研究[J]东南大学学报.1989,(02)
[8]吕世骥,黄学良,黄庆安,袁璟,蔡跃明.SOI材料的场助键合技术[J]电子器件.1990,(04)
[9]蔡跃明;吕世骥;孙国梁;.硅片直接键合技术的氧等离子体表面处理[J]微电子学与计算机.1990,(06)
[10]吕世骥,黄庆安,童勤义.场助GaAs-玻璃键合工艺的研究[J]半导体学报.1991,(09)
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