李明祥
【姓名】 李明祥
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs/Si,GaAs材料,MBE异质外延,GaAs/Si兼容,Ti/TiW/Au接触与互连,GaAs／Si,GaAs,最后结果,MESFET,金属半导体场效应管,俄歇,微电子技术,肖特基接触,微电...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]邵力为，李明祥，丁东.GaAs／Si衬底电路制备中Ge元素分布的研究[J]真空电子技术.1994,(03)
[2]钱文生，李明祥，夏海良，魏同立.GaAs／Si弹性形变及其应力的理论模型[J]东南大学学报.1995,(06)
[3]李明祥,庄庆德.GaAs/Si兼容技术的讨论[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[4]庄庆德,李明祥,钱文生,童勤义,林新民.Si衬底上MBE GaAs MESFET与IC制备[J]固体电子学研究与进展.1992,(03)
[5]李明祥,童勤义,庄庆德.采用Ti/TiW/Au栅制作Si衬底上CaAs MESFET与集成电路[J]电子学报.1992,(02)
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