孔晓明
【姓名】 孔晓明
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 C模型,异质结双极晶体管,砷化镓,参数提取,InGaP/GaAsHBT,GP模型,砷化镓异质结双极晶体管,EM模型,器件模型,加工生产线,晶体管芯片,模型参数,模拟仿真,仿真结果,transistor...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]池毓宋;黄风义;吴忠洁;张少勇;孔晓明;王志功;.0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟[J]半导体学报.2006,(02)
[2]孔晓明;黄风义;王志功;张少勇;.低功耗2.4GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计[J]电气电子教学学报.2006,(01)
[3]黄风义,孔晓明,蒋俊洁,姜楠.砷化镓HBT的VBIC模型研究[J]东南大学学报(自然科学版).2005,(02)
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