孔德义
【姓名】 孔德义
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 锗硅异质结双极晶体管的研究
【发表文献关键词】 LPCVD放大倍数,发射极电阻,硅双极晶体管,多晶硅发射极,Si_(1－y)Ge_y,空间电荷区,基区,穿通,内建电场,SiGe,HBT,多晶硅,多晶硅发射极技术,淀积条件,线性锗分布,电流传输,超薄...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 无锡
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[1]李垚,孔德义,魏敬和,许居衍.超薄基区SiGe HBT电流传输模型[J]半导体学报.2000,(01)
[2]孔德义,李垚 ,魏同立,郑茳,钱文生.高频npn Si_(1-y)Ge_y基区HBT的集电结势垒区模型[J]电子学报.1999,(05)
[3]孔德义,魏同立,李垚,聂卫东.HBT中基区内建电场的物理机制及其理论分析[J]固体电子学研究与进展.1999,(03)
[4]聂卫东,梅海军,范建超,孔德义.掺杂多晶硅发射极技术研究[J]微电子技术.1998,(03)
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