易扬波
【姓名】 易扬波
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;电信技术;
【研究方向】 模拟集成电路
【发表文献关键词】 功率集成电路,半导体工艺,功率器件,NMOS,驱动芯片,等离子体显示板,显示驱动,子场,数字逻辑设计,LDMOS,峰值电场,场极板,控制电路,PDP驱动,功率MOSFET,P沟道,漂移区,数字逻辑电路...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]钱钦松;李海松;孙伟锋;易扬波;.Layout and process hot carrier optimization of HV-nLEDMOS transistor[J]半导体学报.2009,(03)
[2]孙伟锋;钱钦松;王雯;易扬波;.Thermal characteristics investigation of high voltage grounded gate-LDMOS under ESD stress conditions[J]半导体学报.2009,(10)
[3]孙伟锋;王佳宁;易扬波;.单个浮置场限环终端结构击穿电压模型[J]微电子学.2009,(06)
[4]孙伟锋;孙智林;易扬波;陆生礼;时龙兴;.高压P-LDMOS的栅击穿及其改进方法(英文)[J]Journal of Southeast University(English Edition).2006,(01)
[5]夏晓娟;易扬波;.电流叠加型CMOS基准电压源[J]微电子学.2006,(02)
[6]宋慧滨;唐晨;易扬波;孙伟锋;.功率集成电路中一种抗闩锁方法研究[J]半导体技术.2006,(06)
[7]孙伟锋;易扬波;陆生礼;时龙兴;.体硅LDMOS漂移区杂质分段线性注入模型研究(英文)[J]半导体学报.2006,(06)
[8]孙伟锋;易扬波;陆生礼;.多场极板LEDMOS表面电场和导通电阻研究[J]固体电子学研究与进展.2006,(02)
[9]孙伟锋;俞军军;易扬波;陆生礼;.高压SOI-LDMOS截止频率研究[J]微电子学.2006,(06)
[10]赵少峰;易扬波;.短沟道铝栅CMOS器件及工艺研究[J]电子器件.2007,(02)
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