姚炜
【姓名】 姚炜
【职称】
【研究领域】 建筑科学与工程;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 翘曲效应,PD SOI NMOSFET,温度解析模型,NMOSFET,动态平衡,碰撞电离,nMOSFET,中性区,子中心,空间电荷区,结电流,耗尽层宽度,NMOS,扩散电流,微电,温度,温度升高,复合...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]张海鹏,魏同立,冯耀兰,姚炜,宋安飞.PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型[J]半导体学报.2001,(10)
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