施雪捷
【姓名】 施雪捷
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 积累型,薄膜,高温特性,绝缘体上硅,金属-氧化物-半导体,SOIMOS器件,薄膜全耗尽,宽温区,硅膜,MOS器件,积累层,全耗尽,结构薄膜,源电流,体区,实验样品,子中心,子迁移率,迁移率,泄漏电流,
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]冯耀兰,樊路加,宋安飞,施雪捷,张正璠.薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究[J]电子器件.2002,(01)
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