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[1]冯耀兰,杨国勇,张海鹏.薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
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[2]冯耀兰.体硅、SOI和SiCMOS器件高温特性的研究[J]固体电子学研究与进展.2000,(01)
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[3]张海鹏,魏同立,冯耀兰,姚炜,宋安飞.PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型[J]半导体学报.2001,(10)
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[4]张海鹏,宋安飞,杨国勇,冯耀兰,魏同立.漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT的研究(Ⅰ)——低压截止态泄漏电流的温度特性[J]固体电子学研究与进展.2001,(01)
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[5]冯耀兰,魏同立.宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应[J]固体电子学研究与进展.2001,(02)
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[6]冯耀兰,魏同立,张海鹏,宋安飞,罗岚.宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计[J]固体电子学研究与进展.2001,(03)
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[7]冯耀兰,宋安飞,张海鹏,樊路加.宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法[J]固体电子学研究与进展.2001,(04)
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[8]杨国勇,宋安飞,冯耀兰.硅体费米势在(300～600K)宽温区温度特性的研究[J]电子器件.2001,(04)
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[9]张海鹏,魏同立,杨国勇,冯耀兰,宋安飞.一种自动体偏置多阈值电压高温SOI CMOS电路[J]功能材料与器件学报.2001,(02)
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[10]冯耀兰,樊路加,宋安飞,施雪捷,张正璠.薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究[J]电子器件.2002,(01)
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