樊玉薇
【姓名】 樊玉薇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氢处理,氮化硅膜,电击穿,薄膜沉积,工艺参数,耐压性能,晶粒电阻,正温度系数热敏电阻器,晶界电阻,成份分析,PTCR,电化学沉积,反应气体,后续处理,阻值,陶瓷热敏电阻,接触电阻,功能薄膜,膜过程,氧...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]孙平,樊玉薇,贾连娣,吴冲若,陈后胜.PTCR阻值的控制与调整[J]传感技术学报.1995,(02)
[2]樊玉薇，贾连娣，吴冲若.钛酸钡系PTCR与氢气相互作用的研究[J]传感器技术.1996,(05)
[3]樊玉薇，贾连娣，吴冲若.陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究[J]东南大学学报.1996,(03)
[4]李永祥，樊玉薇，吴冲若.功能薄膜电化学沉积技术的新进展[J]功能材料.1996,(05)
[5]樊玉薇,李永祥,吴冲若.电化学原子层外延及 Te、Cd 元素欠电势沉积研究[J]东南大学学报.1998,(01)
[6]樊玉薇,陈后胜,吴冲若.钛酸钡基热敏电阻器低温调阻法[J]电子元件与材料.1998,(02)
[7]樊玉薇,李永祥,吴冲若.半导体CdTe薄膜电化学沉积研究[J]功能材料.1998,(02)
[8]樊玉薇,李永祥,吴冲若.水溶液中阴极电沉积半导体 CdTe 薄膜性能的研究[J]太阳能学报.1998,(04)
[9]樊玉薇,李永祥,吴冲若.Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延[J]真空科学与技术.1998,(04)
[10]吴冲若,樊玉薇.微间隙击穿性能的研究[J]微细加工技术.1993,(01)
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