池毓宋
【姓名】 池毓宋
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 器件模型和参数提取的研究
【发表文献关键词】 参数提取,硅双极型晶体管,Mextram,可缩放模型,区域化,CMOS工艺,模型参数值,可缩放性,单管,测试数据,CMOS器件,模型参数,器件模型,几何尺寸,区间,BSIM3,提取方法,近似处理,计算...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]池毓宋;黄风义;吴忠洁;张少勇;孔晓明;王志功;.0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟[J]半导体学报.2006,(02)
[2]张少勇,黄风义,池毓宋,吴忠洁,姜楠.基于区域化的CMOS模型参数提取方法[J]电气电子教学学报.2005,(03)
[3]池毓宋,黄风义,张少勇,吴忠洁.硅双极型晶体管的可缩放MEXTRAM模型及参数提取[J]微电子学.2005,(05)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]池毓宋.0.13μm CMOS工艺射频MOS场效应管建模[D].东南大学.2006
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